怎么測(cè)量mos管_如何量mos管好壞

顯示器高壓板mos管如何測(cè)量？

一 、將指針式萬(wàn)用表?yè)苤痢癛X1K”檔，并電調(diào)零。MOS管帶字的一面朝著自己 ，從左到右依次為：G（柵極）
，D（漏極），S（源極） 。將黑表筆接在D極 ，紅表筆接在S極上
，此時(shí)，萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng)；然后再對(duì)換表筆 ，再測(cè)
，此時(shí)，萬(wàn)用表指針應(yīng)向右擺動(dòng)
。用指針萬(wàn)用表測(cè) ，G極，與其余兩個(gè)極之間
，無(wú)論是兩個(gè)表筆怎樣對(duì)調(diào)測(cè)，萬(wàn)用表指針均應(yīng)不動(dòng)。

二 
、將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)苤痢岸O管 ”檔 ，也就是
，蜂鳴器檔 。黑表筆接D極，紅表筆接S極 ，此時(shí)
，應(yīng)顯示一個(gè)數(shù)值，一般情況下為400多到500多之間
。然后 ，再對(duì)換表筆
，應(yīng)無(wú)顯示，為“1
”。然后 ，黑表筆接D極
，紅表筆先去觸碰一下G極，然后紅表筆再接到S極上 ，此時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)顯示的數(shù)值與原來(lái)相比
，變小了許多，一般為100多到幾十之間 。這說(shuō)明 ，此MOS管已被觸發(fā)導(dǎo)通了
。在這個(gè)時(shí)候
，黑表筆接S極，紅表筆接D極 ，會(huì)發(fā)現(xiàn)
，有數(shù)值顯示了。這說(shuō)明，此MOS管是完好的 。

?

如果所測(cè)的結(jié)果與上述兩種方法均不符 ，則這個(gè)MOS管就是壞的。一般情況下
，D極和S極擊穿的比較常見
。用數(shù)字萬(wàn)用表的“二極管”檔測(cè)，會(huì)聽到蜂鳴器的響聲.

ASEMI的MOS管10N65如何測(cè)量好壞？

當(dāng)使用有故障的MOS管時(shí) ，會(huì)發(fā)生漏極到柵極的短路
，對(duì)電路不利。這種短路的結(jié)果可能是漏極電壓反饋，這也會(huì)影響柵極端子 。電壓到達(dá)該端后 ，通過(guò)柵極電阻進(jìn)一步傳輸?shù)津?qū)動(dòng)電路，這種傳輸可能對(duì)驅(qū)動(dòng)電路造成進(jìn)一步的損壞
。因此
，在使用前檢測(cè)mos管10N65的質(zhì)量可以避免損壞整個(gè)電路。

測(cè)量mos管10N65好壞時(shí)要注意的幾點(diǎn)

在測(cè)試mos管時(shí)，您需要采取一些預(yù)防措施 。主要是：

1、必須保證輸入電源大于等于MOS管10N65的閾值電壓
。

2 、MOS管的漏極電壓和柵極電壓不能超過(guò)擊穿電壓。

3
、應(yīng)選擇合適的限流電阻給LED供電 。

4、連接時(shí)應(yīng)始終使用柵源電阻
。這將有助于避免柵極處的噪聲 ，也有助于釋放器件的寄生電容。

5 、在mos管的柵極處應(yīng)始終使用低量程電阻 。

6
、最后
，通過(guò)測(cè)試電路技術(shù)進(jìn)行測(cè)試時(shí)，一定要使用低端開關(guān)電路
。否則 ，mos管將無(wú)法工作。

用萬(wàn)用表測(cè)量mos管10N65的好壞——電阻測(cè)試

當(dāng)MOS管的柵端沒有觸發(fā)脈沖時(shí)
，它的漏源電阻很高 。電阻測(cè)試就是利用這個(gè)屬性來(lái)測(cè)試mos管10N65是否有故障。測(cè)試也很簡(jiǎn)單，只需要一個(gè)歐姆表或萬(wàn)用表即可執(zhí)行
。

做一個(gè)電阻檢查 ，無(wú)論數(shù)字萬(wàn)用表探頭的極性如何
，一個(gè)好的mos管應(yīng)該在漏極和源極之間有很高的電阻。

以下是進(jìn)行電阻測(cè)試的一些基本步驟：

1、無(wú)論歐姆表探頭的連接如何，功能良好的mos管10N65都應(yīng)指示高漏源電阻 。

2 、也可以用萬(wàn)用表檢查漏源電阻
。將萬(wàn)用表置于電阻模式開始測(cè)試 ，萬(wàn)用表電阻讀數(shù)應(yīng)高到以兆歐為單位。

3、將萬(wàn)用表的讀數(shù)與mos管10N65的數(shù)據(jù)表進(jìn)行比較 。如果您發(fā)現(xiàn)電阻讀數(shù)小于數(shù)據(jù)表上的值或?yàn)榱?
，則存在故障
。儀表或歐姆表應(yīng)顯示數(shù)據(jù)表上的電阻。

MOS管用數(shù)字萬(wàn)用表怎么測(cè)其好壞及引腳？

用數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量MOS管好壞及引腳的方法怎么測(cè)量mos管：以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例 。

一
、先確定MOS管的引腳：

1、先對(duì)MOS管放電怎么測(cè)量mos管，將三個(gè)腳短路即可怎么測(cè)量mos管；

1 、首先找出場(chǎng)效應(yīng)管的D極（漏極）
。對(duì)于TO-252
、TO-220這類封裝的帶有散熱片的場(chǎng)效應(yīng)管 ，它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的，故我們可用數(shù)字萬(wàn)用表的二極管檔測(cè)量管子的各個(gè)引腳
，哪個(gè)引腳與散熱片相連，哪個(gè)引腳就是D極。

2、找到D極后 ，將萬(wàn)用表調(diào)至二極管檔怎么測(cè)量mos管；

3 、用黑表筆接觸管子的D極
，用紅表筆分別接觸管子的另外兩個(gè)引腳 。若接觸到某個(gè)引腳時(shí)，萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降 ，那么該引腳即為S極（源極）
，剩下的那個(gè)引腳即為G極（柵極）
。

二
、MOS管好壞的測(cè)量：

1、當(dāng)把紅表筆放在S極上，黑表筆放在D極上 ，可以測(cè)出來(lái)這個(gè)導(dǎo)通壓降
，一般在0.5V左右為正常；

2 、G腳測(cè)量，需要先對(duì)G極充下電 ，把紅表筆放在G極
，黑表筆放在S極；

3
、再次把紅表筆放在S極上，黑表筆放在D極上 ，可以測(cè)出來(lái)這個(gè)放大壓降，一般在0.3V左右為正常；

擴(kuò)展資料

MOS管的主要參數(shù)

1、開啟電壓VT

開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；

標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管
，VT約為3～6V；通過(guò)工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2 、直流輸入電阻RAH

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示

MOS管的RAH可以很容易地超過(guò)1010Ω 。

3.
、漏源擊穿電壓BVDS

在VAH=0（增強(qiáng)型）的條件下 ，在增加漏源電壓過(guò)程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：

（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；

（2）漏源極間的穿通擊穿；

有些MOS管中
，其溝道長(zhǎng)度較短，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū) ，使溝道長(zhǎng)度為零
，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后 ，源區(qū)中的多數(shù)載流子
，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引，到達(dá)漏區(qū) ，產(chǎn)生大的ID。

4、柵源擊穿電壓BVAH

在增加?xùn)旁措妷哼^(guò)程中
，使柵極電流IG由零開始劇增時(shí)的VAH，稱為柵源擊穿電壓BVAH
。

5 、低頻跨導(dǎo)gm

在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)；

gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)

一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)

6、導(dǎo)通電阻RON

導(dǎo)通電阻RON說(shuō)明了VDS對(duì)ID的影響
，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)

在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變 ，RON的數(shù)值很大
，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由于在數(shù)字電路中，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下 ，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來(lái)近似

·對(duì)一般的MOS管而言
，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)

7
、極間電容

三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CAH、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CAH和CGD約為1～3pF，CDS約在0.1～1pF之間

8 、低頻噪聲系數(shù)NF

噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的。·由于它的存在 ，就使一個(gè)放大器即便在沒有信號(hào)輸人時(shí)
，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化

噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來(lái)表示，它的單位為分貝（dB） 。這個(gè)數(shù)值越小 ，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小

低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝
，它比雙極性三極管的要小

電動(dòng)車控制器MOS管如何檢測(cè)好壞

判斷電動(dòng)車控制器MOS管好壞可以使用萬(wàn)用表歐姆檔
。

用測(cè)電阻法去簡(jiǎn)單判斷MOS好壞，就是用機(jī)械式萬(wàn)用表測(cè)量MOS管的源極與漏極
、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值與MOS管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。

具體方法：首先將萬(wàn)用表置于R×10或R×100檔 ，紅表筆（電池負(fù)）接MOS管源極S，黑表筆（電池正）漏極D
，這時(shí)電阻應(yīng)該無(wú)窮大，兩表筆對(duì)調(diào) ，它們之間有電阻
，通常在幾十歐到幾千歐范圍（因?yàn)镸OS的S與D之間連接有保護(hù)管，各種不同型號(hào)的MOS管 ，其使用的保護(hù)管是不同的
，有使用二極管 、也有使用穩(wěn)壓管的各不是相同的），如果測(cè)得阻值大于正常值 ，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測(cè)得阻值是無(wú)窮大
，可能是內(nèi)部斷極 。然后把萬(wàn)用表置于R×10k檔，再測(cè)柵極與源極
、柵極與漏極之間的電阻值 ，當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無(wú)窮大
，則說(shuō)明管是正常的；若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥?，則說(shuō)明管是壞的
。

mos管怎么測(cè)試好壞

用萬(wàn)能表檢測(cè)mos管好壞的方法：

將萬(wàn)用表兩個(gè)表筆分別搭接在其他兩個(gè)極：給B極與任意一個(gè)極接一個(gè)10千歐姆電阻 ，電阻先不要接上，把表筆分別放在兩級(jí)
，電阻這時(shí)再接觸，指針擺動(dòng)越大證明該管子放大系數(shù)就越大 ，也就是說(shuō)該管子就越好
，反之越差。

接電阻的那一端為C極；若是紅表筆為P管，黑表筆為N管 。凡是不符合以上測(cè)量數(shù)據(jù)的三極管都是壞的
。

萬(wàn)用表的相關(guān)要求規(guī)定：

1、指針表讀取精度較差 ，但指針擺動(dòng)的過(guò)程比較直觀
，其擺動(dòng)速度幅度有時(shí)也能比較客觀地反映了被測(cè)量的大小（比如測(cè)電視機(jī)數(shù)據(jù)總線(SDL)在傳送數(shù)據(jù)時(shí)的輕微抖動(dòng)）；數(shù)字表讀數(shù)直觀，但數(shù)字變化的過(guò)程看起來(lái)很雜亂 ，不太容易觀看。

2 、數(shù)字萬(wàn)用表的準(zhǔn)確度是測(cè)量結(jié)果中系統(tǒng)誤差與隨機(jī)誤差的綜合 。它表示測(cè)量值與真值的一致程度
，也反映測(cè)量誤差的大小
。一般講準(zhǔn)確度愈高，測(cè)量誤差就愈小 ，反之亦然。

3
、指針表內(nèi)一般有兩塊電池
，一塊低電壓的1.5V,一塊是高電壓的9V或15V,其黑表筆相對(duì)紅表筆來(lái)說(shuō)是正端 。數(shù)字表則常用一塊6V或9V的電池。在電阻檔，指針表的表筆輸出電流相對(duì)數(shù)字表來(lái)說(shuō)要大很多 ，用R×1Ω檔可以使揚(yáng)聲器發(fā)出響亮的“噠 ”聲，用R×10kΩ檔甚至可以點(diǎn)亮發(fā)光二極管
。

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