mos管好壞測(cè)量視頻_mos管的測(cè)量好壞

如何判斷mos管的好壞？

一.紅左 ，黑中 、右無(wú)窮大黑左
，紅中
、右無(wú)窮大紅中，黑右無(wú)窮大；黑中紅右顯示530（左右）。其實(shí)場(chǎng)效應(yīng)管三極管很好判斷：有字面朝上從左到右依次為：G、D 、S ，有些管相反：S
、D、G 。我修顯示器 、主板
、電源都是從上面的方法測(cè)絕對(duì)沒問題
。你不信隨便拆塊板看一看
，場(chǎng)效應(yīng)管在電路圖板的布局及應(yīng)VMOS大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的檢測(cè)。

二．1判別各電極與管型 。用萬(wàn)用表R×100檔，測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)晶體管任意兩引腳之間的正、反向電阻值
。其中一次測(cè)量中兩引腳的電阻值為數(shù)百歐姆 ，這時(shí)兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D
，而另一引腳為柵極G。再用萬(wàn)用表R×10k檔測(cè)量?jī)梢_（掘薯扒漏極D與源極S）之間的正 、反向電阻值 。正常時(shí)，正向電阻值為2kΩ左右 ，反向電阻值大于500kΩ
。在測(cè)量反向電阻值時(shí)，紅表筆所接引腳不動(dòng)
，黑表筆脫離所接引腳后，先與柵極G觸碰一下 ，然后再去接原引腳
，觀察萬(wàn)用表讀數(shù)的變化情況。若萬(wàn)用表讀數(shù)由原來較大阻值變?yōu)?，則此紅表筆所接的即是源極S ，黑表筆所接為漏極D 。用黑表筆觸發(fā)柵極G有效
，說明該管為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管。若萬(wàn)用表讀數(shù)仍為較大值，則黑表筆接回原引腳不變 ，改用紅表筆去觸碰柵極G后再接回原引腳
，若此時(shí)萬(wàn)用表讀數(shù)由原來阻值較大變?yōu)?，則此時(shí)黑表筆接的為源極S ，紅表筆接的是漏極D
。用表紅筆觸發(fā)柵極G有效
，說明該管為P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

2．判別其好壞 。用萬(wàn)用表R×1k檔或R×10k檔，測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管任意兩腳之間的正、反向電阻值
。正常時(shí) ，除漏極與源極的正向電阻值較小外，其余各引腳之間（G與D
、G與S）的正、反向電阻值均應(yīng)為無(wú)窮大。若測(cè)得某判昌兩極之間的電阻值接近0Ω
，則說明該管已擊穿損壞 。另外，還可以用觸發(fā)柵極（P溝道場(chǎng)效應(yīng)手逗晶體管用紅表筆觸發(fā) ，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管用黑表筆觸發(fā)）的方法來判斷場(chǎng)應(yīng)管是否損壞
。若觸發(fā)有效（觸發(fā)柵極G后
，D 、S極之間的正
、反向電阻均變?yōu)?），則可確定該管性能良好。用吧三,1用10K檔,內(nèi)有15伏電池.可提供導(dǎo)通電壓.2因?yàn)闁艠O等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來,否則是壞管.3利用表筆對(duì)柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便.但要放電時(shí)需短路管腳或反充.4大都源漏間有反并二極管,應(yīng)注意,及幫助判斷.5大都封莊為字面對(duì)自已時(shí),左柵中漏右源 。

mos管怎么測(cè)試好壞

測(cè)電阻法檢測(cè)MOS管是用萬(wàn)用表測(cè)量MOS管mos管好壞測(cè)量視頻的源極與漏極、柵極與源極 、柵極與漏極
、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同MOS管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞
。具體方法：首先將萬(wàn)用表置于R×10或R×100檔mos管好壞測(cè)量視頻 ，測(cè)量源極S與漏極D之間的電阻mos管好壞測(cè)量視頻
，通常在幾十歐到幾千歐范圍(在手冊(cè)中可知mos管好壞測(cè)量視頻，各種不同型號(hào)的管 ，蘆薯其電阻值是各不相同的)
，如果測(cè)得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良;如果測(cè)得阻值是無(wú)窮大 ，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬(wàn)用表置于R×10k檔
，再測(cè)柵極G1與G2之間、柵極與源極 、柵極與漏極之間的電阻值，當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無(wú)窮大 ，則陪御者說明管是正常的;若測(cè)得上述各拆神阻值太小或?yàn)橥?，則說明管是壞的 。要注意
，若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進(jìn)行檢測(cè)
。

MOS管用數(shù)字萬(wàn)用表怎么測(cè)其好壞及引腳？

用數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量MOS管好壞及引腳的方法：以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例。

一
、先確定MOS管的引腳：

1、先對(duì)MOS管放電 ，將三個(gè)腳短路即可；

1 、首先找出場(chǎng)效應(yīng)管的D極（漏極） 。對(duì)于TO-252
、TO-220這類封裝的帶有散熱片的場(chǎng)效應(yīng)管
，它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的，故我們可用數(shù)字萬(wàn)用表的二極管檔測(cè)量管子的各個(gè)引腳 ，哪個(gè)引腳與散熱片相連
，哪個(gè)引腳就是D極。

2、找到D極后，將萬(wàn)用表調(diào)至二極管檔；

3 、用黑表筆接觸管子的D極 ，用紅表筆分別接觸管子的另外兩個(gè)引腳
。若接觸到某個(gè)引腳時(shí)
，萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降，那么該引腳即為S極（源極） ，剩下的那個(gè)引腳即為G極（柵極）。

二、MOS管好壞的測(cè)量：

1
、當(dāng)把紅表筆放在S極上
，黑表筆放在D極上，可以測(cè)出來這個(gè)導(dǎo)通壓降 ，一般在0.5V左右為正常；

2、G腳測(cè)量，需要先對(duì)G極充下電
，把紅表筆放在G極，黑表筆放在S極；

3 、再次把紅表檔行純筆放在S極上 ，黑表筆放在D極上
，可以測(cè)出來這個(gè)放大壓降，一般在0.3V左右為正常；

擴(kuò)展資料

MOS管的主要參數(shù)

1
、開啟電壓VT

開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；

標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管 ，VT約為3～6V；通過工藝上的改進(jìn)
，可以使MOS管的VT值降到2～3V 。

2、直流輸入電阻RAH

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時(shí)以流過柵極的柵流表示

MOS管的RAH 可以很容易地超過1010Ω
。

3. 、漏源擊穿電壓BVDS

在VAH =0（增強(qiáng)型）的條件下，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：

（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；

（2）漏源極間的穿通擊穿；

有些MOS管中 ，其溝道長(zhǎng)度較短
，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長(zhǎng)度為零 ，即產(chǎn)生漏源間的穿通
，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子 ，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引，到達(dá)漏區(qū)
，產(chǎn)生大的ID。

4
、柵源擊穿電壓BVAH

在增加?xùn)旁措妷哼^程中，使柵極電流IG由零開始劇增時(shí)的VAH ，稱為柵源擊穿電壓BVAH  。

5、低頻跨導(dǎo)gm

在VDS為某一固定數(shù)值的條件下
，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)；

gm反映了柵源電行咐壓對(duì)漏極電流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)

一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)

6 、導(dǎo)通電阻RON

導(dǎo)通電阻RON說明帶姿了VDS對(duì)ID的影響 ，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)

在飽和區(qū)
，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大 ，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由于在數(shù)字電路中
，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來近似

·對(duì)一般的MOS管而言 ，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)

7
、極間電容

三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CAH 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CAH 和CGD約為1～3pF
，CDS約在0.1～1pF之間

8 、低頻噪聲系數(shù)NF

噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的
?！び捎谒拇嬖?，就使一個(gè)放大器即便在沒有信號(hào)輸人時(shí) ，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化

噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示，它的單位為分貝（dB）。這個(gè)數(shù)值越小
，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小

低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小

ASEMI的MOS管10N65如何測(cè)量好壞

編輯-Z

為什么要檢測(cè)mos管的好壞mos管好壞測(cè)量視頻？

為了保護(hù)板上的其他元件 ，在將MOS管10N65連接到電路之前對(duì)其進(jìn)行測(cè)試至關(guān)重要 。mos管10N65主要有漏極
、源極和柵極三個(gè)引腳
。

當(dāng)使用有故障的MOS管時(shí)
，會(huì)發(fā)生漏極到柵極的短路，對(duì)電路不利。這種短路的結(jié)春輪果可能是漏極電壓反饋 ，這也會(huì)影響柵極端子 。電壓到達(dá)該端后
，通過柵極電阻進(jìn)一步傳輸?shù)?a href="http://www.artifacthound.com/tags-188.html" class="3269413ba705de6a superseo">驅(qū)動(dòng)電路，這種傳輸可能對(duì)驅(qū)動(dòng)電路造成進(jìn)一步的損壞
。因此 ，在使用前檢測(cè)mos管10N65的質(zhì)量可以避免損壞整個(gè)電路。那么ASEMI的MOS管10N65如何測(cè)量好壞呢？

測(cè)量mos管10N65好壞時(shí)要注意的幾點(diǎn)

在測(cè)試mos管時(shí)
，您需要采取一些預(yù)防措施 。主要是mos管好壞測(cè)量視頻：

1、必須保證輸入電源大于等于MOS管10N65的閾值伍肆電壓。

2 、MOS管的漏極電壓和柵極電壓不能超過擊穿電壓
。

3、應(yīng)選擇合適的限流電阻給LED供電。

4
、連接時(shí)應(yīng)始終使用柵源電阻 。這將有助于避免柵極處的噪聲，也有助于釋放器件的寄生電容
。

5、在mos管的柵極處應(yīng)始終使用低量程電阻。

6 、最后 ，通過測(cè)試電路技術(shù)進(jìn)行測(cè)試時(shí)
，一定要使用低端開關(guān)電路 。否則，mos管將無(wú)法工作
。

用萬(wàn)用表測(cè)量mos管10N65的好壞——電阻測(cè)試

當(dāng)MOS管的柵端沒有觸發(fā)脈沖時(shí)腔森轎 ，它的漏源電阻很高。電阻測(cè)試就是利用這個(gè)屬性來測(cè)試mos管10N65是否有故障 。測(cè)試也很簡(jiǎn)單，只需要一個(gè)歐姆表或萬(wàn)用表即可執(zhí)行
。

做一個(gè)電阻檢查
，無(wú)論數(shù)字萬(wàn)用表探頭的極性如何，一個(gè)好的mos管應(yīng)該在漏極和源極之間有很高的電阻。

以下是進(jìn)行電阻測(cè)試的一些基本步驟：

1
、無(wú)論歐姆表探頭的連接如何 ，功能良好的mos管10N65都應(yīng)指示高漏源電阻 。

2、也可以用萬(wàn)用表檢查漏源電阻
。將萬(wàn)用表置于電阻模式開始測(cè)試
，萬(wàn)用表電阻讀數(shù)應(yīng)高到以兆歐為單位。

3 、將萬(wàn)用表的讀數(shù)與mos管10N65的數(shù)據(jù)表進(jìn)行比較 。如果您發(fā)現(xiàn)電阻讀數(shù)小于數(shù)據(jù)表上的值或?yàn)榱?，則存在故障。儀表或歐姆表應(yīng)顯示數(shù)據(jù)表上的電阻
。

如何用萬(wàn)用表檢測(cè)MOS管是好是壞？

以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管5N60C為例mos管好壞測(cè)量視頻 ，來詳細(xì)介紹一下具體mos管好壞測(cè)量視頻的測(cè)量方法。

1.N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管好壞的測(cè)量方法

2.用數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔正向測(cè)量5N60C的D-S兩極 。

測(cè)量5N60C好壞時(shí)
，首先將萬(wàn)用表量程開關(guān)調(diào)至二極管檔，將5N60C的G極懸空 ，用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極
，若是好的管子，萬(wàn)用表顯示為“OL” ，即溢出（見上圖）
。

3.用數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔反向測(cè)量5N60C的D-S兩極。

然后調(diào)換紅黑表筆
，再去測(cè)量D-S兩極，則萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降（見上圖） 。

若MOS場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)部D-S兩極之間的寄生二極管擊穿損壞 ，用二極管檔測(cè)量時(shí)，萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)接近于零
。

4.用萬(wàn)用表的二極管檔給5N60C柵源兩極（G-S兩極）之間的電容充電。對(duì)于N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管充電時(shí)
，紅表筆應(yīng)接管子的G極，黑表筆接管子的S極 。

在測(cè)量完5N60C的D-S兩極 ，并且確實(shí)是好的之后
，然后用二極管檔給MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電
。

由于MOS場(chǎng)效應(yīng)管的簡(jiǎn)裂前輸入電阻在GΩ級(jí)（GΩ讀作吉?dú)W，1GΩ＝1000MΩ） ，數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔的開路測(cè)量電壓約為2.8～3V
，故用二極管檔的測(cè)量電壓給MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電后，可以使MOS場(chǎng)效應(yīng)管D-S兩極之間的電阻變得很小 ，故用這個(gè)方法可以測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管G-S兩極之間是否損壞。

5.5N60C的G-S兩極間的電容充電后
，用電阻檔實(shí)測(cè)D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω 。

6.用萬(wàn)用表電阻檔實(shí)測(cè)5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω
。

上面為一個(gè)好的N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量數(shù)據(jù)。對(duì)于P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法與上述測(cè)量一樣，只是萬(wàn)用表表筆需要調(diào)換一下極性 。

擴(kuò)展資料：

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 ，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的
，mos管好壞測(cè)量視頻他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)
。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的 ，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的 。

場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化
。FET的增益等于它的transconductance
， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有攔清的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管） 。而P溝道常見的為低壓mos管
。

場(chǎng)效應(yīng)管通過投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過這個(gè)絕緣體 ，所以FET管的GATE電流非常小 。

最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體
。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管
，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代mos管好壞測(cè)量視頻了雙極源春型晶體管 。

請(qǐng)問使用萬(wàn)用表如何檢測(cè)MOS管好壞

萬(wàn)用表檢畝蠢困測(cè)MOS管好壞的簡(jiǎn)便方法

1.用黑表筆接在D極上 ，紅表筆接在S極上
，一般有一個(gè)500-600的阻值

2.在黑表筆不動(dòng)的前提下，用紅表筆點(diǎn)一下G極 ，然后再用紅表筆測(cè)S極
，就會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)通

3.紅表筆接D極，黑檔槐表筆點(diǎn)一下G極后再接S極 ，測(cè)得的阻值和1測(cè)的是一樣的則迅念說明MOS管工作正常

關(guān)于mos管好壞測(cè)量視頻和mos管的測(cè)量好壞的介紹到此就結(jié)束了
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