mos場(chǎng)效應(yīng)管分為哪四部分_mos場(chǎng)效應(yīng)管是什么的簡(jiǎn)稱

場(chǎng)效應(yīng)管分為幾種？

場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是一種電壓掌握電流器件。其特色是輸出電阻高，噪聲系數(shù)低 ，受溫度和輻射影響小 。因此特殊運(yùn)用于高敏銳度、低噪聲電路中 
。

場(chǎng)效應(yīng)管的品種許多
，按構(gòu)造可分為兩大類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（IGFET）.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管又分為N溝道和P溝道兩種。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管次要指金屬--氧化物--半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（mos管）

 。MOS管又分為“耗盡型”和“加強(qiáng)型 ”兩種，而每一種又分為N溝道和P溝道 
。

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管是應(yīng)用導(dǎo)電溝道之間耗盡區(qū)的寬窄來(lái)掌握電流的 ，輸出電阻（105～1015）之間；

絕緣柵型是應(yīng)用感應(yīng)電荷的若干來(lái)掌握導(dǎo)電溝道的寬窄從而掌握電流的巨細(xì)
，其輸出阻抗很高(柵極與其它電極相互絕緣)。它在硅片上的集成度高，因而在大范圍集成電路中占領(lǐng)極端主要的位置  。

MOSFET 有幾種類型，電路符號(hào)是什么樣？

一 、場(chǎng)效應(yīng)管的分類 按溝道半導(dǎo)體材料的不同
，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分，場(chǎng)效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型
。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型 ，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的
，也有增強(qiáng)型的。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類
。見下圖。

二
、場(chǎng)效應(yīng)三極管的型號(hào)命名方法 第二種命名方法是AH ××#，AH 代表場(chǎng)效應(yīng)管 ，××以數(shù)字代表型號(hào)的序號(hào)
，#用字母代表同一型號(hào)中的不同規(guī)格 。例如AH 14A、AH 45G等
。

三 、場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù) 1
、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓U AH=0時(shí)的漏源電流 。 2、UP — 夾斷電壓
。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中 ，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。 3 、UT — 開啟電壓 。是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中
，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓
。 4、gM — 跨導(dǎo)。是表示柵源電壓U AH — 對(duì)漏極電流I D的控制能力，即漏極電流I D變化量與柵源電壓UAH變化量的比值 。gM 是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。 5
、BUDS — 漏源擊穿電壓
。是指柵源電壓UAH一定時(shí) ，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)
，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS 。 6、PDSM — 最大耗散功率
。也是一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。使用時(shí) ，場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量 。 7 、IDSM — 最大漏源電流
。是一項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)
，漏源間所允許通過(guò)的最大電流。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過(guò)IDSM.

MOS管至少有四個(gè)引腳 ，四個(gè)引腳分別怎么用？

MOS管只有四個(gè)引腳
，即漏極
、柵極、源極和襯底 。

NMOS和PMOS的接法是不一樣的
。

NMOS：漏極→輸出信號(hào) 、柵極→輸入信號(hào)
、源極→低電平(或地)、襯底→低電平(或地)。

PMOS：漏極→輸出信號(hào) 、柵極→輸入信號(hào)
、源極→高電平(或電源)、襯底→高電平(或電源) 。

MOS管有用的管腳就是三個(gè)：源極 、漏極
、柵極
。多余的管腳或者是同名管腳（在內(nèi)部和漏極、柵極相連，特別是有些大功率管） ，或者是空腳（沒有內(nèi)部連接
，只起焊接固定作用）。

mos場(chǎng)效應(yīng)管分為哪四部分的介紹就聊到這里吧，感謝你花時(shí)間閱讀本站內(nèi)容 ，更多關(guān)于mos場(chǎng)效應(yīng)管是什么的簡(jiǎn)稱 、mos場(chǎng)效應(yīng)管分為哪四部分的信息別忘了在本站進(jìn)行查找喔 。