場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是一種電壓掌握電流器件。其特色是輸出電阻高,噪聲系數(shù)低 ,受溫度和輻射影響小 。因此特殊運(yùn)用于高敏銳度、低噪聲電路中 。
場(chǎng)效應(yīng)管的品種許多,按構(gòu)造可分為兩大類:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(IGFET).結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管又分為N溝道和P溝道兩種。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管次要指金屬--氧化物--半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(mos管)
。MOS管又分為“耗盡型”和“加強(qiáng)型 ”兩種,而每一種又分為N溝道和P溝道 。
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管是應(yīng)用導(dǎo)電溝道之間耗盡區(qū)的寬窄來(lái)掌握電流的 ,輸出電阻(105~1015)之間;
絕緣柵型是應(yīng)用感應(yīng)電荷的若干來(lái)掌握導(dǎo)電溝道的寬窄從而掌握電流的巨細(xì),其輸出阻抗很高(柵極與其它電極相互絕緣)。它在硅片上的集成度高,因而在大范圍集成電路中占領(lǐng)極端主要的位置 。
一 、場(chǎng)效應(yīng)管的分類 按溝道半導(dǎo)體材料的不同,結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分,場(chǎng)效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型 ,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。見下圖。
二、場(chǎng)效應(yīng)三極管的型號(hào)命名方法 第二種命名方法是AH ××#,AH 代表場(chǎng)效應(yīng)管 ,××以數(shù)字代表型號(hào)的序號(hào),#用字母代表同一型號(hào)中的不同規(guī)格 。例如AH 14A、AH 45G等。
三 、場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù) 1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,柵極電壓U AH=0時(shí)的漏源電流 。 2、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中 ,使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。 3 、UT — 開啟電壓 。是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中,使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。 4、gM — 跨導(dǎo)。是表示柵源電壓U AH — 對(duì)漏極電流I D的控制能力,即漏極電流I D變化量與柵源電壓UAH變化量的比值 。gM 是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù)。 5、BUDS — 漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UAH一定時(shí) ,場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù),加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS 。 6、PDSM — 最大耗散功率。也是一項(xiàng)極限參數(shù),是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。使用時(shí) ,場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量 。 7 、IDSM — 最大漏源電流。是一項(xiàng)極限參數(shù),是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí),漏源間所允許通過(guò)的最大電流。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過(guò)IDSM.
MOS管只有四個(gè)引腳,即漏極、柵極、源極和襯底 。
NMOS和PMOS的接法是不一樣的。
NMOS:漏極→輸出信號(hào) 、柵極→輸入信號(hào)、源極→低電平(或地)、襯底→低電平(或地)。
PMOS:漏極→輸出信號(hào) 、柵極→輸入信號(hào)、源極→高電平(或電源)、襯底→高電平(或電源) 。
MOS管有用的管腳就是三個(gè):源極 、漏極、柵極。多余的管腳或者是同名管腳(在內(nèi)部和漏極、柵極相連,特別是有些大功率管) ,或者是空腳(沒有內(nèi)部連接,只起焊接固定作用)。
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